Заказать звонок +7 495 788-44-44
Меню
ПОИСК ПО САЙТУ
Каталог товаров Сборочное производство Полупроводниковое производство
АОИ, тестирование и контроль Инженерные решения для ЧПП
Расходные материалы
О компании Демозал Карьера Политика конфиденциальности Сертификаты Пресс-центр Каталог оборудования Решения «под ключ» МЭМС ГИС Биочипы Фотоника Радиоэлектроника Силовая электроника СВЧ
Услуги и сервис Сервис и модернизация Запасные части: 4MICRO.RU Технология Обучение персонала Сервис-деск База знаний Каталоги и брошюры Статьи Технологии Вебинары Личный кабинет Личные данные Ваше оборудование Заявки на сервис Анкеты Задать вопрос Лист запросов Подписка
Контакты
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39

Система плазмохимического травления кремния с индуктивно-связанной плазмой (ICP)

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643
Система плазмохимического травления кремния с индуктивно-связанной плазмой (ICP) Полуавтоматическая система травления ICP-SCD-Manual Результаты технологических процессов. Формирование отверстий (Via) в кремнии Результаты технологических процессов. Реализация Bosch-процесса травления отверстий с высоким аспектным соотношением (HARP) Результаты технологических процессов. Минимальные неровности боковой стенки (Scallop) Результаты технологических процессов. Минимальные неровности боковой стенки (Scallop) Результаты технологических процессов. Формирование канавок (trench) в кремнии Результаты технологических процессов. Формирование полостей в кремнии
Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок
Печать/PDF

Система ICP-SCD разработана для процессов глубокого травления кремния для мелкосерийных производств и НИОКР на пластинах Ø 150 мм и 200 мм. Позволяет точно контролировать глубину травления, минимизируя при этом повреждения нижележащих слоёв. Глубокое травление кремния — широко распространённый процесс при производстве микро- и наноустройств. Система ICP-SCD позволяет проводить Bosch-процесс для формирования рисунка в кремнии с высоким аспектным соотношением (HARP). Система обладает высокой пропускной способностью.

Особенности

  • Разработана для глубокого травления кремния
  • Предназначена для серийного производства и НИОКР
  • Серия ICP-SCD, совместимая с пластинами Ø 100-200 мм, доступна в кластерной и однокамерной конфигурациях с различным типом загрузки
  • Обработка пластин различных диаметров реализована при помощи сменных комплектов оснастки рабочих модулей
  • Для применения в НИОКР система может быть сконфигурирована с ручным вакуумным загрузочным шлюзом (система ICP-SCD-Manual)

  • Состоит из камер ICP-травления, модулей транспортировки и загрузки пластин
  • Тетрагональный транспортный модуль
  • Возможна реализация Bosch- и SSP-процессов травления кремния
  • Регулировка неровности боковой стенки (scallop)
  •  Реализация Bosch-процесса для травления структур с высоким аспектным соотношением (HARP)
  • Оптимизированная конструкция газового блока и регуляторов расхода газа сокращает время переключения между процессами при Bosсh-процессе до менее чем 1.0 с
  • Высокая скорость травления кремния (> 4 мкм/мин)
  • Высокая однородность травления (< 5 % по пластине, < 3 % от пластины к пластине)
  • Газовая конфигурация: F- и Cl-содержащие газы, HBr, O2, N2, Ar и и другие газы в зависимости от запроса клиента и технологического процесса
  • Электростатический (ESC) или механический (clamp) прижим пластин
  • Модуль контроля окончания процесса (EPD)
  • Система откачки рабочего модуля на базе ТМН и форвакуумного насоса



+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39
© 2020 ООО «Остек-ЭК»
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.
ПринятьНастроитьОтклонить