Система прямого лазерного экспонирования MLB 150 GEN II

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система прямого лазерного экспонирования MLB 150 GEN II

Тест на неоднородность критических размеров (50Х)

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

MLB 150 GEN II — система безмасковой литографии базового уровня для производства фотошаблонов, интегральных схем, МЭМС, микрооптики, различных сенсоров и прочих устройств с прецизионной структурой.

Идеально подходит для НИОКР, а также для мелкосерийного производства, позволяя достичь высокого разрешения экспонирования и одновременно максимальной гибкости благодаря работе без фотошаблонов.

Особенности

Технология пространственной модуляции света на базе матрицы цифровых микрозеркал (DMD)
Функции автофокусировки и совмещения слоев по меткам
Дифракционная оптика (опция)
Функция экспонирования в градациях серого, 256 градаций (опция)
Скорость экспонирования при максимальном разрешении до 40 мм²/мин (объектив 50Х)

Источник излучения: LD 405 нм (100 мВт)
Кратность сменных объективов: 50Х, 20Х и 10Х
Разрешение экспонирования: 0,5 мкм (50Х), 1 мкм (20Х) и 2 мкм (10Х)
Совмещение слоев при помощи ПЗС-камеры с точностью: ± 1 мкм (50Х)
Неоднородность критических размеров: <160 нм (50Х)
Область экспонирования: до 150×150 мм
Точность перемещения рабочего столика: 10 нм

Система прямого лазерного экспонирования MLB 150 GEN II

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование