Установка формирования фаски на полупроводниковых пластинах

Параметры

Масса установки

3000 кг

Диаметр пластин

Ø6, Ø8 дюймов

Толщина пластин

300-1500 мкм

Тип базовой поверхности

Базовый срез (OF) / V-notch

Размер установки

2250×1650×2600 мм

Точность шлифовальной системы

Точность шлифовки по осям XYZ: ±1 мкм

Плоскостность керамического вакуумного держателя: ≤3 мкм

Неточность торцевой поверхности и радиуса шпинделя стола: ±1 мкм

Неточность торцевой поверхности и радиуса шпинделя шлифовального круга: ±1 мкм

Внешний диаметр шлифовального круга

Ø202 мм

Монтажный диаметр шлифовального круга

Ø30 мм

Толщина шлифовального круга

20 мм

Скорость вращения шлифовального круга

0-4,000 об/мин (настраивается под требования заказчика)

Скорость вращения круга для обработки Notch

0-6,000 об/мин (настраивается под требования заказчика)

Типы шлифовальных кругов

T, R, TT, RR, TR и другие

Измерение толщины пластины (бесконтактное/контактное)

Точность повторных измерений: ±2 мкм

Измерение в одной точке по центру

Метод очистки

Ротационная чистка

Метод сушки

Центробежная сушка

Секция загрузки/выгрузки

Количество кассет: 4

Количество слотов: 25 (регулируется)