Система инспекции дефектов для пластин WIDEC

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система инспекции дефектов для пластин WIDEC

Примеры инспекции дефектов. Локальные углубления, впадины

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

Система WIDEC — высокоточное решение для комплексного мониторинга качества подложек и эпитаксиальных структур на основе карбида кремния (SiC). Разработанная для критически важных областей силовой электроники, ВЧ-устройств и полупроводниковой техники она обеспечивает детектирование и классификацию широкого спектра поверхностных и внутренних дефектов. Позволяет выявлять такие нарушения, как: микроскопические впадины, выступы, царапины, загрязнения (пятна), а также дислокации и другие кристаллографические дефекты в эпитаксиальных слоях.

Особенности

Инспекция пластин без рисунка
Высокая производительность, точность и воспроизводимость измерений, высокая степень обнаружения дефектов
Работа в светлом и темном полях
Возможность полной автоматизации (SECS/GEM)
Эталонная пластина c PSL-частицами на кремнии для проверки и калибровки чувствительности оборудования

Диаметр пластин	150 / 200 / 300 мм
Тип пластин	Подложки и эпитаксиальные пластины из карбида кремния (SiC)
Толщина пластины	350 ÷ 1500 мкм
Оптический контроль	Модуль инспекции в темном поле (DF) Модуль инспекции в светлом поле (BF) Модуль инспекции в фотолюминесценции (PL) Модуль инспекции в фотолюминесценции (расширенный) (PLX)
Воспроизводимость	95 %

Измерение дефектности подложки SiC
	Тип дефекта		Параметр / Чувствительность
	Частицы		Диаметр ≥ 200 нм / BF @ PSL Диаметр ≥ 83 нм /DF @ PSL
	Царапины		Длина ≥ 10 мкм, глубина ≥ 1 мкм
	Впадины		Диаметр ≥ 2,5 мкм
	Выступы		Диаметр ≥ 2,5 мкм
	Микропоры		Диаметр ≥ 2,5 мкм
	Пятна		Толщина > 1 нм, диаметр > 10 мкм
	Анализ дислокаций методом травления KOH		Сканирование всей поверхности пластины — автоматическая классификация: дислокации в базовой плоскости (BPD), краевые дислокации (TED), винтовые дислокации (TSD)
	Дефект упаковки (SF)		Обнаружение с использованием опции фотолюминесценции (PL)
Измерение дефектности эпитаксиального слоя SiC
	Частицы		Диаметр ≥ 200 нм / BF @ PSL Диаметр ≥ 83 нм / DF @ PSL
	Царапины		Длина ≥ 10 мкм, глубина ≥ 1 мкм
	Впадины		Диаметр ≥ 2,5 мкм
	Выступы		Диаметр ≥ 2,5 мкм
	Микропоры		Диаметр ≥ 2,5 мкм
	V-образный дефект (Carrot)		Ширина ≥ 10 мкм
	Дефект роста в форме треугольника		Ширина ≥ 10 мкм
	Локальное углубление		Глубина ≥ 70 мкм
	HL-Line		Длина ≥ 70 мкм
	Дефекты дислокации (травление KOH)		Сканирование всей поверхности пластины — автоматическая классификация: дислокации в базовой плоскости (BPD), краевые дислокации (TED), винтовые дислокации (TSD), дефекты базовой плоскости (BSF)
	Дефект упаковки (SF), BPD		Обнаружение с использованием опции фотолюминесценции (PL)
Требования к инфраструктуре
Электропитание	Фаза / Напряжение / Частота	Однофазный / 220 В / 50Гц
	Сила тока	32 А
	Мощность	7 кВт
Вакуум	Давление	-70 кПа ÷ −90 кПа
Сжатый воздух	Давление	0,4 ÷ 0,6 МПа
	Конденсат	Отсутствие конденсата
	Расход воздуха	Макс. 6 л/мин, средний 4 л/мин
Температура	18 ÷ 26 ºС
Влажность	40 ÷ 70%
Класс чистоты ЧПП	ISO 6

Система инспекции дефектов для пластин WIDEC

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование