EPI-SC200 — серия систем для эпитаксиального роста слоёв карбида кремния (SiC) на подложках диаметром 150 и 200 мм. Системы ориентированы на серийное производство SiC-структур для силовой электроники и энергетики. Используют вертикальный поток газа с многозонной регулировкой и многосекционный нагрев для обеспечения однородности роста.
Особенности
Работа с подложками 150 и 200 мм в рамках одной конфигурации реактора без необходимости переналадки системы
Вертикальный реактор с вертикальной подачей газа через газовый душ (Vertical airflow). Многозонная регулировка газовых потоков
Конструктивное разделение на модули, что позволяет размещать технические компоненты вне чистой зоны
Совместимость с автоматизированными системами загрузки (SMIF, OHT) для обеспечения непрерывной работы оборудования в крупносерийном производстве
Низкая совокупная стоимость владения (CoO) благодаря конструкции — за счет автоматизации и длительных циклов непрерывного роста