EHP-500 — система ионной имплантации на средних токах для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур как в исследовательских целях, так и в серийном производстве
Особенности
Улучшенная система фокусировки ионного луча
Высокая параллельность пучка ионов
Высокая воспроизводимость процесса
Возможность имплантации ионов с двойным зарядом
Диаметр обрабатываемых пластин
150 / 200 мм
Энергия однозарядного иона
5 — 180 кэВ
Энергия двухзарядного иона
До 360 кэВ
Мощность сканера
10 кВ
Диапазон доз энергий
от 1xE11 до 1xE16 ионов/см²
Неоднородность по пластине
≤0,5%
Угол имплантации
0 — 60°
Ток пучка
До 2000 мкА
Производительность
До 20 пластин в час — ручная загрузка
До 150 пластин в час — автоматическая загрузка (для пластины 150 мм)