Система магнетронного напыления MSX608

MSX608 — кластерная система для осаждения металлических и диэлектрических слоев методом магнетронного распыления мишени. Продуманная модульная конструкция дает возможность организовать высокопроизводительный, последовательный процесс осаждения нескольких слоев без экспозиции пластин на атмосферу. Помимо стандартных камер магнетронного распыления система может быть сконфигурирована процессными модулями, поддерживающими уникальные методики осаждения, такие как осаждение оксида ванадия (VOx) и осаждение алюминия на структуры с высоким аспектным соотношением (АС). Также обеспечивает осаждение на обратную сторону пластины (наиболее применимо в случае SiC-пластин).

Система позволяет обрабатывать пластины из разных материалов (Si, SiC, GaAs, GaN и др.). Может быть применена для производства интегральных схем, МЭМС, силовой электроники, при работе с полупроводниковыми соединениями группы А3В5.

Особенности

• Совместимость с пластинами диаметром 6- и 8-дюймов. Использование специального держателя (tray) для работы с Ø 4″ пластинами
• Поддержка различных типов пластин: стандартные пластины, утоненные пластины, пластины Taiko
• Функция предварительной очистки: по запросу может быть добавлена функция Soft Etch (H2) для улучшения очистки поверхности
• Температурный диапазон нагревателя: от −45 до 500 °C, что позволяет удовлетворить большинство требований PVD-процессов
• Улучшенная равномерность покрытия: возможность регулировки расстояния (spacing) для оптимизации равномерности пленки в течение всего срока службы мишени, что продлевает срок службы мишени
• Повышенная эффективность: благодаря использованию собственной технологии распределения магнитного поля удается повысить эффективность использования мишени на 30 %, что особенно важно для дорогостоящих мишеней
• Тонкое удержание пластин: решение «Edge Touch» обеспечивает отсутствие контакта с лицевой стороной при транспортировке пластины, а также защищает лицевую сторону пластины от осаждения при напылении металла на обратную сторону
• Доступность различного кластерного исполнения: возможно подключение до пяти процессных модулей (+1 модуль предварительной очистки пластины в плазме)
• Ключевые процессы: VOx, SiO2 TC-SAW, Moly, Ti, TiW, Cu, Ti, TiN, Al, AlN, Ta, TaN, Ni, NiV, Al, Cr, Au и др.
• Собственное ПО: поддержка различных режимов работы, в том числе последовательный и параллельный, для эффективной обработки нескольких пластин одновременно