Система плазмохимического осаждения (PECVD, ICP-CVD) Depo-C+

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система плазмохимического осаждения (PECVD, ICP-CVD) Depo-C+

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

Depo-C+ — система плазмохимического осаждения, которая позволяет осаждать тонкие плёнки диоксида кремния (из моносилана или TEOS), нитрида кремния и других материалов при температурах не выше
400 °С. Возможна реализация камер для низкотемпературного осаждения (<100 ⁰C, системы ICP-CVD).

Позволяет обрабатывать пластины из разных материалов (Si, SiC, GaAs, GaN и др.). Может быть применена для производства интегральных схем, МЭМС, силовой электроники, а также при работе с полупроводниковыми соединениями группы А3В5.

Возможность осаждения слоев на базе моносилана (SiH₄) или тетраэтилортосиликата (TEOS)
Поддержка процессов осаждения слоев SiOx и SiNx в одной камере
Возможность варьировать расстояние между подложкодержателем и газовым душем для точной настройки процесса осаждения
Сравнительно высокая плотность и однородность формируемых плёнок, что позволяет снизить токи утечки и повысить напряжение пробоя
Возможность осаждения конформных слоев
Температура нагревателя: может достигать 80 ÷ 400 °C, что соответствует большинству требований к процессам PECVD
Возможность контролировать напряженность получаемых плёнок путем использования системы генераторов с разной частотой
Газовая система с возможностью размещения до 10 газовых линий
Возможность обрабатывать пластины диаметром 6 ″/ 8″ / 12″ в одной камере. Поддержка подложек: Si, SiC, GaAs, GaN и т. д.
Кластерное или однокамерное исполнение

Система плазмохимического осаждения (PECVD, ICP-CVD) Depo-C+

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование