Система плазмохимического осаждения (PECVD) UTPE-150

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система плазмохимического осаждения (PECVD) UTPE-150

Система UTPE-150 со шлюзовой загрузкой пластин

Держатель для трех пластин в шлюзовой камере

Процесс осаждения на пластину в рабочем модуле

Скорость осаждения слоев SiO2 при варьировании соотношения газов SiH4 / N2O

Скорость осаждения слоев Si3N4 при варьировании мощности генератора

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

UTPE-150 — однокамерная система для плазмохимического осаждения из газовой фазы различных диэлектрических слоев на пластины диаметром до 150 мм. Разработана специально для нужд НИОКР.

Особенности

Применение: осаждение SiO₂, Si₃N₄, SiON, α-Si
Ручная загрузка пластин в реактор
Возможность реализации системы со шлюзовой загрузкой пластин в камеру
Однородность осаждения для толщины слоя и коэффициента преломления в случае пластины Ø 150 мм: < ± 5 %

Диаметр обрабатываемых пластин до 150 мм
Обработка одной пластины диаметром 150 мм за цикл. Возможность работы с фрагментами пластин
ВЧ-источник плазмы: 600 Вт при 13,56 МГц с системой автосогласования
Нагрев пластин до 400 ⁰C
Подача рабочих газов через газовый душ
Система автоматического контроля давления при помощи дроссельной заслонки
Система откачки рабочей камеры на базе сухого форвакуумного насоса
Газовая конфигурация: осаждение на базе SiH₄, N₂O, NH₃ и др.
Ручное и полуавтоматическое управление процессом
Очистка камеры после процесса осаждения

Система плазмохимического осаждения (PECVD) UTPE-150

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование