Система высокотемпературной ионной имплантации на средних токах Ulvac IH-860, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур на SiC подложках (и других) как в исследовательских целях, так и в серийном производстве.
Особенности
Два рабочих столика;
Подогрев рабочего столика до 500 °С;
Обработка утоненных пластин;
Превосходная фокусировка энергии;
Возможность быстрого охлаждения столика;
Возможность имплантации тройного заряда;
Различные источники ионов — широкая номенклатура ионов;
Малая занимаемая площадь;
Простота эксплуатации.
Модель
IH-860
Энергия однозарядного иона
30-400 кэВ
Энергия двухзарядного иона
до 800 кэВ
Энергия трехзарядного иона
до 1200 кэВ
Диапазон доз энергий
от 1xE13 до 2xE20 ионов/см²
Угол имплантации
обговаривается при заказе
Температура рабочего столика
до 500°С
Ток пучка
до 1000 мкА
Диаметр обрабатываемых пластин
до 150 мм
Производительность
50 пластин в час, при температуре имплантации 500°С