Система ионной имплантации Ulvac SOPHI 200/260

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система ионной имплантации Ulvac SOPHI 200/260

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

Система ионной имплантации на средних токах с высокой скоростью Ulvac SOPHI 200/260, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур в серийном производстве.

Особенности

Параллельный метод имплантации;
Обработка утоненных пластин (до 50 мкм);
Превосходная фокусировка энергии;
Превосходная параллельность пучка;
Возможность имплантации двойного заряда;
Различные источники ионов — широкая номенклатура ионов;
Малая занимаемая площадь;
Простота эксплуатации.

Модель	SOPHI 200/260
Энергия однозарядного иона	30-200/260 кэВ
Энергия двухзарядного иона	до 400/520 кэВ
Диапазон доз энергий	от 1xE12 до 1xE18 ионов/см²
Угол имплантации	обговаривается при заказе
Ток пучка	до 1800 мкА
Диаметр обрабатываемых пластин	до 200 мм

Система ионной имплантации Ulvac SOPHI 200/260

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование