Горизонтальная трубная печь HTFS-4-LPCVD

HTFS-4-LPCVD — горизонтальная трубная печь для процессов осаждения из газовой фазы при пониженном давлении (LPCVD). Подходит для малосерийного и среднесерийного производства полупроводниковых изделий.

Особенности

• Процессы LPCVD: осаждение поликремния, Si₃N₄, SiON, SiO₂, ФСС, БФСС
• Опция оснащения атмосферными реакторами для процессов отжига, окисления и диффузии
• Автоматическое управление по рецепту
• Полуавтоматическая загрузка: ручная установка пластин в лодочку с последующей автоматической загрузкой лодочки в реактор
• Система управления: PLC + SCADA-панель, программируемые рецепты, ведение журнала, удалённый мониторинг
• До четырех реакторов из кварца или карбида кремния
• Рабочая температура до 1200 °С
• Неоднородность температуры в рабочей зоне реактора в пределах ±1 °С
• Нагреватель с тремя или пятью зонами контроля температуры
• Загрузка до 25 пластин в один реактор
• Встроенные системы контроля безопасности: защита от перегрева, аварийное отключение газов, контроль потока охлаждающей воды

Характеристики процессов

• Неравномерность толщины БФСС: ≤5 %
• Неравномерность толщины ФСС: ≤5 %
• Неравномерность толщины поликремния: ≤3 %
• Неравномерность толщины SiO₂ (TEOS): ≤2,5 %
• Неравномерность толщины SiO₂ (DCS (SiH₂Cl₂) + N₂O): ≤5 %
• Неравномерность толщины Si₃N₄: ≤5 %