Горизонтальная трубная печь HTFX-4-LPCVD

HTFX-4-LPCVD — горизонтальная трубная печь для процессов осаждения из газовой фазы при пониженном давлении (LPCVD). Подходит для среднесерийного и крупносерийного производства полупроводниковых изделий.

Особенности

• Процессы LPCVD: осаждение поли-Si, Si₃N₄, SiON, SiO₂, ФСС, БФСС
• Возможность оснащения вакуумными реакторами для процессов LPCVD
• Автоматическое управление по рецепту, ручная загрузка пластин в лодочки
• До четырех реакторов из кварца или карбида кремния
• Рабочая температура до 1200 °С
• Неоднородность температуры в рабочей зоне реактора в пределах ±0,5 °С
• Нагреватель с тремя или пятью зонами контроля температуры
• Загрузка до 25 пластин в реактор

Характеристики процессов

• Неравномерность толщины БФСС: ≤5 %
• Неравномерность толщины ФСС: ≤5 %
• Неравномерность толщины поли-Si: ≤3 %
• Неравномерность толщины SiO₂ (TEOS): ≤2,5 %
• Неравномерность толщины SiO₂ (DCS (SiH₂Cl₂) + N₂O): ≤5 %
• Неравномерность толщины Si₃N₄: ≤5 %